Pri visokonapetostnih aplikacijah je tezko dobiti cenene mocnostne transistorje, ki bi bili hitri in imeli visoko napetostno prebojnost. Pri takih zahtevah se lahko uporabijo prednosti posamezne tehnologije bipolarnih in MOS transistorjev z vezavo emiterskega stikala (emitter switching)[9]. Z zdruzitvijo dveh transistorjev dobimo hitri mocnostni element z vezavo, ki jo prikazuje slika 12.
V vezju je uporabljen nizkonapetostni MOS transistor. Bipolarni visokonapetostni transistor je standardne hitrosti. Pomembna lastnost vezja je hitro polnjenje baze in se hitrejse praznjenje baze brez moznosti prevelike negativne bazne napetosti. Taka vezava optimalno krmili bipolarni stikalni transistor.
Transistorje SIPMOS je mozno uporabiti v razlicne namene z
izrabo dobrih stikalnih lastnosti. Problem lahko predstavlja le
relativno visoka stikalna napetost 
, ki jo je
potrebno zagotoviti za dobro delovanje. Pri hitrih stikalnih vezjih
morajo krmilniki napetosti 
imeti cim nizjo izhodno
upornost za premagovanje vhodnih parazitnih kapacitivnosti
transistorja. Moc krmilnikov pa ne predstavlja velikih omejitev,
saj se energija porablja le za prehodne pojave.
Zaradi boljse prevodnosti se v vecini uporabljajo N-kanalni
transistorji, katerim je v mosticnih vezjih vcasih tezko
zagotoviti pozitivno napetost 
. Pomagamo si s crpalko
naboja oz. podvojevalnikom napetosti, ki s pomocjo kondenzatorjev
crpa naboj na zeljen nivo.