Splosne lastnosti

Transistorji SIPMOS s samozaporni transistorji na poljski efekt[1] s prikljucki: vrata - G (Gate), izvor - S (Source) in ponor - D (Drain). Simbola N-kanalnega in P-kanalnega transistorja sta prikazana na sliki 1.

 

Upornost med izvorom in ponorom se nadzira z napetostjo med vrati in izvorom. N-kanalni transistorji se kontrolirajo s pozitivno napetostjo , P-kanalni pa se krmilijo z negativno napetostjo.

Stevilo N-kanalnih transistorjev je zaradi boljse prevodnosti kanala vecje od P-kanalnih transistorjev. Vklopna upornost P-kanalnih transistorjev je tudi vec kot dvakrat vecja pri isti reverzni napetosti. Transistorji SIPMOS imajo naslednje pomembne lastnosti[5]:

• napetostno krmiljenje
• visoke preklopne moci
• enostavna paralelna vezava za vecje moci
• kratki stikalni casi
• nimajo zahtev po izpraznitvi nosilcev, kot je to primer pri bipolarnih transistorjih (storrage time)
• zascita pri preobremenitvi
• linearna karakteristika
• dobra odpornost na prebojno napetost

Nastete lastnosti transistorjev SIPMOS so primerne za siroko mnozico uporab kot so:

• stikalni napajalniki (SMPS)
• DC pretvorniki
• inverterji
• frekvencni pretvorniki za trifazne motorje
• brezprekinitveni napajalniki (UPS)
• zvocni ojacevalniki (AF)
• napajalniki za varjenje
• monitorji brez utripanja